Les nouveaux matériaux pour le microélectronique

Récemment, il ya eu beaucoup d'intérêt et généré de bons progrès faits dans la recherche de matériaux non-silicium pour remplacer le silicium comme matériau canal du transistor avenir. Parmi les matériaux étudiés sont Ge ,à faible bande interdite des semi-conducteurs composés III-V ,des nanotubes de carbone , le graphène , et ainsi de suite. Ces matériaux, en général, ont une mobilité significativement plus élevée intrinsèque (p ou n) par rapport au silicium, donc ils ont le potentiel pour permettre futures à grande vitesse transistors pour applications numériques à des tensions d'alimentation très faibles. De tous ces matériaux non-Si, Ge et semi-conducteurs composés III-V sont les plus étudiés, ce dernier ayant été utilisée dans la communication commerciale et des produits opto-électronique pour une longue période.

Depuis plus de 40 ans, la microélectronique connaît une croissance rapide basée essentiellement sur une technologie en silicium. En effet grâce à son faible coût, son abondance et aux propriétés isolantes, protectrices et passivantes de son oxyde, le silicium reste le matériau de choix pour la micro et nanoélectronique. Cependant le silicium ne permet pas le développement de transistors à très haute mobilité et haute fréquence. Ainsi pour des transistors CMOS de 11 à 15 nm, on peut penser que le silicium dans le canal

de conduction soit remplacé par un autre

matériau semi-conducteur tel que

le germanium ou

des matériauxIII-V

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