La diode gunn

DIODE GUNN

0. INTRODUCTION

- Après les nombreuses recherches faites et connaissances fournies, une théorie néanmoins reste incontournable et d’application à l’endroit de la diode gunn.

Ce travail pratique sur la diode gunn nous offre une image plus au moins précise sur le comportement mais aussi sur son mode de fonctionnement.

Ainsi nous nous efforcerons de donner d’une manière assez claire sur sa caractéristique et le mode de précaution, y afférents.

0.1 Historique

L’invention de cette diode est attribuée au physicien britannique John Battiscombe Gunn né en 1928 en Egypte. Il a donné son nom à l’effet gunn.

C’est en 1962 que le chercheur J.B Gunn a démontré que les micro – ondes peuvent être produites en appliquant une tension stable à un barreau Gustal de type n d’arsenière de galluim (Gats) et l’effet Gunn phénomène découvert en 1963 qui consistait en la création d’oscillations à hyperfréquences dans un semi conducteur soumis à un champ électrique.

0.2 Construction et fonctionnement

Construction

La plupart des diodes de combiner des semi -conducteurs dopés positivement et négativement à créer une jonction p-n. Semi-conducteurs sont dopés par ajout intentionnellement des impuretés qui ont plusieurs électrons libres ( type p) ou moins (n-type). Dopage modifie les propriétés électriques du semi-conducteur.

Des diodes Gunn sont différents, car ils utilisent une seule pièce de semi-conducteurs de type n, mais l’ intérieur est plus fortement dopé à l’ extérieur , créant un effet similaire. Parce qu’il n’y a aucun p-n junction , on peut prétendre qu’une diode Gunn n’est pas une vraie diode.

Fonction

Lorsqu’il y a une tension à travers une diode Gunn, la plupart de la différence de potentiel est à travers le Centre, ce qui est plus fortement dopé. Une fois que la tension atteint un certain niveau, une impulsion de courant est formée et voyage à travers l’intérieur de la diode. Cette impulsion réduit la différence de potentiel dans l’ ensemble de l’intérieur, en empêchant une autre impulsion de formation . Une fois l’impulsion a voyagé à travers les diodes Gunn, un autre peut se former.

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