Diode Gunn

Une diode Gunn, également connu comme un dispositif électronique transférés(TED), est une forme de diode utilisé dans l'électronique haute fréquence. Il estquelque peu inhabituel en ce qu'il consiste seulement de matériau semi-conducteur dopé N, alors que la plupart sont composées de diodes P et les régions N-dopé.Dans la diode Gunn, trois régions existent: deux d'entre eux sont fortementdopé N sur chaque terminal, avec une fine couche de matériau faiblement dopéentre les deux. Lorsqu'une tension est appliquée au dispositif, le gradient électriquesera la plus importante à travers la couche mince intermédiaire. Conduction aura lieucomme dans tout matériau conducteur à courant étant proportionnel à la tensionappliquée. Finalement, à des valeurs de champ plus élevé, les propriétésconductrices de la couche intermédiaire sera modifié, ce qui augmente sa résistivitéet de réduire le gradient à travers lui, empêcher la conduction et d'autres en courscommence effectivement à tomber. Dans la pratique, cela signifie une diode Gunn aune région de résistance différentielle négative.La résistance différentielle négative, combinée avec les propriétés desynchronisation de la couche intermédiaire, permet la construction d'un oscillateur àrelaxation RF simplement en appliquant un courant approprié direct à travers ledispositif. En effet, la résistance différentielle négative créée par la diode réduit ànéant la résistance réelle et positive d'une charge réelle et de créer ainsi un "zéro"circuit de résistance qui soutiendront oscillations indéfiniment. La fréquenced'oscillation est déterminée en partie par les propriétés de la couche médiane mince,mais peut être réglée par des facteurs externes. diodes Gunn sont donc utilisés pour construire des oscillateurs dans la gamme de fréquences 10 GHz et plus (THz), oùun résonateur est généralement ajouté à la commande de fréquence. Ce résonateur peut prendre la forme d'une cavité micro-ondes guide d'onde, ou d'une sphèreYIG.Tuning se fait mécaniquement, en ajustant les paramètres du résonateur, ou encas de sphères YIG en changeant le champ magnétique. Arséniure de gallium diodes Gunn sont faites pour des fréquences jusqu'à 200 GHz,les matériaux de nitrure de gallium peut atteindre jusqu'à 3 terahertz. [1] [2]La diode Gunn est basée sur l'effet Gunn, et les deux sont nommées pour lephysicien JB Gunn qui, chez IBM en 1962, a découvert l'effet parce qu'il a refuséd'accepter incompatibles résultats expérimentaux en arséniure de gallium comme du"bruit", et traqué la cause . Alan Chynoweth, des Bell Telephone Laboratories, amontré en Juin 1965 que seulement un mécanisme de transfert d'électrons pourraitexpliquer les résultats expérimentaux. [3] L'interprétation se réfère à la théorie deRidley-Watkins-Hilsum.L'effet Gunn, et sa relation à l'effet de Watkins-Ridley-Hilsum entré dans la littératuremonographie dans le début des années 1970, par exemple dans les livres sur lesdispositifs d'électrons transférés [4] et, plus récemment, sur les méthodes des ondesnon linéaires pour le transport de charge [5]. Plusieurs autres livres qui ont fourni lamême couverture ont été publiés dans l'intervalle, et peut être trouvé par labibliothèque de recherche et libraire

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